Визначення напруженості локального електричного поля в окислених структурах макропористого кремнію з наночастинками ZnO та CdS на границі «Si – SiO2»

Abstract

В даній роботі наведені результати досліджень локального електричного поля в структурах макропористого кремнію з нанопокриттями мікропористого кремнію, оксиду кремнію та нанокристалів А2 В6 (ZnO та CdS). Предмет дослідження роботи – вимірювання оптичного поглинання в окислених структурах макропористого кремнію з наночастинками ZnO та CdS на границі «Si– SіO2» у ближній ІЧ-області спектру. Досліджено: спектри ІЧ поглинання окислених структур макропористого кремнію з нанопокриттям наночастинок ZnO (з товщиною оксиду 7 нм, 15 нм та 30 нм) і наночастинок CdS в поліетиленіміні (товщиною оксиду 7 нм, 15 нм та 30 нм). Мета роботи – визначення напруженості локального електричного поля в окислених структурах макропористого кремнію з наночастинками ZnO та CdS на границі «Si–SіO2». Розроблено: побудовані залежності спектрального положення максимумів осциляцій для структур макропористого кремнію з нанопокриттям наночастинок ZnO та CdS від їх номеру, також побудовані залежності напруженості електричного поля від товщини оксиду для окислених структур макропористого кремнію без нанопокриттів та з нанопокриття наночастинок ZnO та CdS. Визначено напруженість локального електричного поля на границі «Si-SiO2 – нанопокриття ZnO і CdS» методом ІЧ-поглинання. Для структур макропористого кремнію з нанопокриттям наночастинок ZnO напруженість електричного поля змінюється від 5,6∙104 В/см до 6,3∙104 В/см з ростом товщини оксиду. Залежності спектрального положення максимумів осциляцій від їх номеру для окислених структур макропористого кремнію з нанопокриттям наночастинок CdS є лінійними; напруженість електричного поля для окислених структур макропористого кремнію з нанопокриттям наночастинок CdS змінюється від 5,07∙104 В/см до 5,3∙104 В/см і є меншою у порівнянні з нанопокриттям наночастинок ZnO.