Вип. 43
Постійний URI для цього зібранняhttps://repositary.knuba.edu.ua/handle/987654321/69
Переглянути
Документ Развитие представлений о структуре гипсового камня(Знання, 2012) Плугин, Аркадий Николаевич; Плугин, А. А.; Гасан, Юрий Гусейнович; Червенко, Евгений НиколаевичА.Ф. Полаком дано термодинамическое доказательство возможности контактообразования по такому механизму [2], при котором фазовые контакты срастания образуются за счет перемещения зародышей по поверхности кристалликов CaSО4·2H2O в зазор между ними. Достоверность такого механизма кристаллизационного сращивания кристалликов гипса, по мнению автора, основывается на понижении свободной энергии зародыша в зазоре, по сравнению с его положением на поверхности. При этом в качестве движущих факторов перемещения зародышей с поверхности частицы в зазор и образования зародышей контактов рассматривается диффузионное перемещение, а также флуктуация, по Фольмеру, и возникновение молекулярных связей между зародышами противоположных поверхностей в зазоре.