Развитие представлений о структуре гипсового камня

Abstract

А.Ф. Полаком дано термодинамическое доказательство возможности контактообразования по такому механизму [2], при котором фазовые контакты срастания образуются за счет перемещения зародышей по поверхности кристалликов CaSО4·2H2O в зазор между ними. Достоверность такого механизма кристаллизационного сращивания кристалликов гипса, по мнению автора, основывается на понижении свободной энергии зародыша в зазоре, по сравнению с его положением на поверхности. При этом в качестве движущих факторов перемещения зародышей с поверхности частицы в зазор и образования зародышей контактов рассматривается диффузионное перемещение, а также флуктуация, по Фольмеру, и возникновение молекулярных связей между зародышами противоположных поверхностей в зазоре.